2N3771, TO-3 Bipolar Transistors - BJT
59 шт., срок 7 недель
510 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 25 шт. —
303 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | - |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 5mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 4V@30A, 6A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 15@15A, 4V |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 6W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 12.37 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
