2SD998, 10uA 120V 80W 60@5A,1V 10A 18MHz 500mV@5A,80mA NPN +150-@(Tj) TO-3PML Bipolar Transistors - BJT
13 шт., срок 7 недель
300 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
120V 80W 60@5A,1V 10A NPN TO-3PN Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 10A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@5A, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 60@5A, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 80W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 18MHz |
| Вес, г | 6.61 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
