2N2222A, 100nA 40V 625mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 600mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT

2N2222A, 100nA 40V 625mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 600mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40900 шт., срок 7 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.6 руб.
от 600 шт.4.60 руб.
от 3000 шт.3.95 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8015779586
Артикул: 2N2222A

Технические параметры

Brand Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min 35
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 2000
Gain Bandwidth Product FT 300 MHz
Manufacturer Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.8 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-18
Packaging Bulk
Part # Aliases 2N2222A PBFREE
Pd - Power Dissipation 400 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series 2N2222
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 606 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.