2N2222A, 100nA 40V 625mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 600mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36720 шт., срок 4-5 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.70 руб.
от 3000 шт. —
4.09 руб.
20 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 35 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Manufacturer | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-18 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | 2N2222A PBFREE |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2N2222 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 606 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
