2N5302, TO-3 Bipolar Transistors - BJT
69 шт., срок 7 недель
480 руб.
от 10 шт. —
320 руб.
от 25 шт. —
278 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | - |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 15@15A, 2V |
| Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 5W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 12.53 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
