2SD669AD-C, 10uA 160V 1W 100@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-252 Bipolar Transistors - BJT

10000 шт., срок 7 недель
35 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.21 руб.
от 150 шт.18 руб.
от 500 шт.15.10 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 175 руб.
Номенклатурный номер: 8015801772
Артикул: 2SD669AD-C

Описание

160V 1W 100@150mA,5V 1.5A NPN TO-252-2 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 10uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@150mA, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 1W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 140MHz
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 665 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.