Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]

Фото 1/3 Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 750 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020262907
Артикул: NDS331N
Бренд / Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание

MOSFET, N CH, 20V, SSOT3, REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C

Технические параметры

кол-во в упаковке 3000
Brand ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 25 ns
Height 1.12 mm
Id - Continuous Drain Current 1.3 A
Length 2.9 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case SSOT-3
Packaging Reel
Part # Aliases NDS331N_NL
Pd - Power Dissipation 500 mW(1/2 W)
Product MOSFET Small Signal
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 210 mOhms
Rise Time 25 ns
RoHS Details
Series NDS331N
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 10 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Unit Weight 0.001058 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
Width 1.4 mm

Техническая документация

Документация
pdf, 394 КБ
Datasheet NDS331N
pdf, 164 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов