IRF7303TRPBF, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 4,9А, 2Вт, SO8

Фото 1/7 IRF7303TRPBF, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 30В, 4,9А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт.110 руб.
от 500 шт.81 руб.
от 2000 шт.69.98 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 7 500 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023130046
Артикул: IRF7303TRPBF

Описание

Описание Транзистор полевой IRF7303TRPBF от ведущего производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Данный транзистор рассчитан на ток стока до 4,9 А и напряжение сток-исток до 30 В, что обеспечивает его универсальность в различных схемах. Мощность устройства составляет 2 Вт, что позволяет ему работать в условиях средней нагрузки. Монтаж типа SMD и корпус SO8 гарантируют легкость интеграции в поверхностно-монтируемые платы и экономию пространства. Транзистор IRF7303TRPBF является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации своих электронных проектов. Код продукта для удобства поиска и заказа: IRF7303TRPBF. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 4.9
Напряжение сток-исток, В 30
Мощность, Вт 2
Корпус SO8

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 4.9A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 2W
Rds On - Drain-Source Resistance 50mО© @ 2.4A,10V
Transistor Polarity 2 N Channel(Double)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1V @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В 5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Температура, С -55…+150
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 4.9 A
Maximum Drain Source Resistance 80 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOIC
Pin Count 8
Series HEXFET
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 10 V
Width 4mm
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 520
Заряд затвора, нКл 25
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4.9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50
Мощность рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Описание MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Упаковка REEL, 4000 шт.
Вес, г 0.44

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 111 КБ
Datasheet IRF7303
pdf, 230 КБ