MMBF170-7-F

Фото 1/2 MMBF170-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 73 шт.
от 1000 шт.4 руб.
от 3000 шт.3.40 руб.
Добавить в корзину 73 шт. на сумму 365 руб.
Номенклатурный номер: 8024110399
Бренд / Производитель: DIODES INC.

Описание

Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 500mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 300mW
Rds On - Drain-Source Resistance 5О© @ 200mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 500 mA
Maximum Drain Source Resistance 5.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +150 C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 1.4mm
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 80 mS
Id - Continuous Drain Current: 500 mA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance: 5 Ohms
Series: MMBF170
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: Enhancement Mode Field Effect Transistor
Typical Turn-Off Delay Time: 10 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBF170-7-F
pdf, 194 КБ
Datasheet MMBF170-7-F
pdf, 322 КБ