IRF9Z34STRLPBF

IRF9Z34STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 800 шт.
от 2400 шт.193 руб.
от 4000 шт.187.55 руб.
800 шт. на сумму 160 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8025612549

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: 800
Id - Continuous Drain Current: 18 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 88 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 34 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 140 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 198 КБ