IRF7314TRPBF

PartNumber: IRF7314TRPBF
Ном. номер: 8049420373
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7314TRPBF
Фото 2/2 IRF7314TRPBF
Доступно на заказ более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 рабочих дней.
56 руб. × = 280 руб.
Минимальное количество для заказа 5 шт.
от 100 шт. — 26 руб.
от 500 шт. — 21.18 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF7314TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Корпус: SO8, инфо: MOSFET P-канал 20В/ 5.3А/2Вт/0.058 Ом Упр.лог.уровнем Сдвоенные

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Dual, Dual Drain
Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Resistance
0.058 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
2
Package Type
SOIC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
780 pF@ 15 V
Typical Turn-Off Delay Time
42 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Width
4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
высота
1.5mm
длина
5mm
тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet IRF7314TRPBF
IRF7314PBF Data Sheet IRF7314TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов