STP18NM80, Транзистор полевой N-канальный 800В 17А 190Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
498 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
720 руб.
от 9 шт. —
610 руб.
от 18 шт. —
570 руб.
от 36 шт. —
561 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 17А 190Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 295@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | MDmesh | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO | |
| Supplier Package | TO-220AB | |
| Supplier Temperature Grade | Industrial | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 50 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2070@50V | |
| Typical Rise Time (ns) | 28 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 96 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1058 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
