IXTP3N120

PartNumber: IXTP3N120
Ном. номер: 8061864469
Производитель: Ixys
IXTP3N120
Доступно на заказ 700 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
350 руб. × = 350 руб.
от 10 шт. — 210 руб.
от 20 шт. — 197 руб.

Описание

The IXTP3N120 is a high voltage N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and rated for unclamped inductive load switching (UIS).

• High dV/dt
• International standard package
• Low RDS (ON)
• UL94V-0 Flammability rating
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-220AB. Технология Legacy (Standart). Напряжение исток-сток: 1200V. Ток стока (при t=25°C): 3А. Сопротивление канала - менее 4,5 Ом. Входная емкость: 1050 pF, заряд затвора: 39 nC, время обратного восстановления: 700 наносекунд, термосопротивление: 0,62K/W, мощность рассеивания: 200 W.

Дополнительная информация

Datasheet IXTP3N120