TK12P60W,RVQ(S

PartNumber: TK12P60W,RVQ(S
Ном. номер: 8062772344
Производитель: Toshiba
TK12P60W,RVQ(S
Доступно на заказ 7000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
62 руб. × = 62 руб.
от 100 шт. — 24 руб.
от 200 шт. — 23 руб.

Описание

MOSFET DTMOS IV Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=600 В, ID=11.5 А, Qg=25 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,34 , 3pin-DPAK Сквозной монтаж

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
6.6 x 6.1 x 2.3mm
высота
2.3mm
длина
6.6mm
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Resistance
0.34 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
100 W
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
DPAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
890 pF@ 300 V
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
ширина
6.1mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V

Дополнительная информация

TK12P60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)