STD7NM60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1293 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 23 шт. —
95 руб.
от 46 шт. —
87 руб.
от 91 шт. —
83 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 5А 45Вт
Технические параметры
| Корпус | dpak | |
| кол-во в упаковке | 2500 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 50V | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Series | MDmeshв(ў II | |
| Supplier Device Package | DPAK | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±25V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 45 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Width | 6.2mm | |
| Automotive | No | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 900@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| PCB changed | 2 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | MDmesh | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-252 | |
| Supplier Package | DPAK | |
| Supplier Temperature Grade | Industrial | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 12 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 14 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 363@50V | |
| Typical Rise Time (ns) | 10 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
