IRLR2908PBF

PartNumber: IRLR2908PBF
Ном. номер: 8080633649
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRLR2908PBF
Фото 2/6 IRLR2908PBFФото 3/6 IRLR2908PBFФото 4/6 IRLR2908PBFФото 5/6 IRLR2908PBFФото 6/6 IRLR2908PBF
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
97 руб. × = 291 руб.
Минимальное количество для заказа 3 шт.
от 25 шт. — 43 руб.
от 75 шт. — 31.89 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRLR2908PBF is a 80V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DPAK/TO252, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А, 120 Вт

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
6.73 x 2.39 x 6.22mm
высота
6.22mm
длина
6.73mm
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Resistance
0.028 Ω
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
120 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
DPAK
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC
Typical Input Capacitance @ Vds
1890 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
36 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
ширина
2.39mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V

Техническая документация

IRLR2908PBF datasheet
pdf, 225 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLR2908PBF
IRLR2908PbF, IRLU2908PbF, HEXFET Power MOSFET