FCPF20N60, Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
от 5 шт. —
610 руб.
от 9 шт. —
572 руб.
от 17 шт. —
539 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 710 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220F | |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 50 | |
| Fall Time | 65 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 17 S | |
| Height | 16.3 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A | |
| Length | 10.67 mm | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 39 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms | |
| Rise Time | 140 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | FCPF20N60 | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 230 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 62 ns | |
| Unit Weight | 0.080072 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 4.7 mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 646 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
