IXFK80N60P3

PartNumber: IXFK80N60P3
Ном. номер: 8115349998
Производитель: Ixys
Фото 1/2 IXFK80N60P3
Фото 2/2 IXFK80N60P3
Доступно на заказ 979 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
670 руб. × = 670 руб.
от 10 шт. — 450 руб.
от 20 шт. — 424 руб.

Описание

The IXFK80N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• Dynamic dV/dt rating
• Avalanche rated
• Low Qg
• Low drain-to-tab capacitance
• Low inductance
• Easy to mount
• Space-saving s

MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 80А. Сопротивление канала - менее 0,07 Ом. Входная емкость: 13100 pF, заряд затвора: 190 nC, время обратного восстановления: 250 наносекунд, термосопротивление: 0,096K/W, мощность рассеивания: 1300 W.

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
19.96 x 5.13 x 26.16мм
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.07 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1300 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-264
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
13100 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
87 ns
Типичное время задержки включения
48 нс
Ширина
5.13mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
26.16mm
Длина
19.96mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet IXFK80N60P3
IXFK80N60P3, IXFX80N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode