IXFN320N17T2

PartNumber: IXFN320N17T2
Ном. номер: 8121130725
Производитель: Ixys
IXFN320N17T2
Доступно на заказ 65 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
1 190 руб. × = 1 190 руб.
от 5 шт. — 1 070 руб.
от 10 шт. — 1 010 руб.

Описание

MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B

MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе SOT-227B MiniBLOC. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 170V. Ток стока (при t=25°C): 260А. Сопротивление канала - менее 0,0052 Ом. Входная емкость: 45000 pF, заряд затвора: 640 nC, время обратного восстановления: н/д наносекунд, термосопротивление: 0,14K/W, мощность рассеивания: 1070 W.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single Dual Source
Technology
GigaMOS
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
170
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
260
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
5.2@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
640@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
640
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
45@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
1070000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Typical Turn-On Delay Time (ns)
46
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
115
Typical Fall Time (ns)
230
Typical Rise Time (ns)
170
Mounting
Screw
Package Length (mm)
38.23(Max)
Package Width (mm)
25.42(Max)
PCB changed
4
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-227B
Pin Count
4
Lead Shape
Screw