IXTA8N65X2, Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

PartNumber: IXTA8N65X2
Ном. номер: 8145015081
Производитель: Ixys
Фото 1/2 IXTA8N65X2, Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Фото 2/2 IXTA8N65X2, Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Доступно на заказ 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3-4 недели.
98.50 руб. × = 9 850 руб.
Минимальное количество для заказа 100 шт.
Количество товаров должно быть кратно 50 шт.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS X2 Series
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Технические параметры

Количество элементов на ИС
1
Ширина
10.92mm
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Число контактов
3
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Типичное время задержки выключения
53 ns
Прямое напряжение диода
1.4V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
800 pF @ 25 V
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
24 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Размеры
10.41 x 10.92 x 4.7мм
Длина
10.41mm
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-263
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
4.7mm
Максимальное сопротивление сток-исток
500 mΩ

Дополнительная информация

Datasheet IXTA8N65X2
N-ch X2-Class Power MOSFET