IRFD220PBF

PartNumber: IRFD220PBF
Ном. номер: 8145656808
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRFD220PBF
Фото 2/3 IRFD220PBFФото 3/3 IRFD220PBF
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
75 руб. × = 300 руб.
Минимальное количество для заказа 4 шт.
от 20 шт. — 43 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DIP4, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.8 А, 1.3 Вт, 0.8 Ом

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Mounting
Through Hole
Package Height (mm)
3.37(Max)
Package Length (mm)
5(Max)
Package Width (mm)
6.29(Max)
PCB changed
4
Standard Package Name
DIP
Supplier Package
HVMDIP
Pin Count
4
Lead Shape
Through Hole

Техническая документация

IRFD220 Datasheet
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFD220PBF