FDMC8032L

PartNumber: FDMC8032L
Ном. номер: 8145822987
Производитель: ON Semiconductor
FDMC8032L
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3-4 недели.
52 руб. × = 104 руб.
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 10 шт. — 48.80 руб.
от 25 шт. — 46.60 руб.

Описание

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer an increase in system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and a soft reverse recovery body diode, which contribute towards fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Dual
Размеры
3 x 3 x 0.75мм
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.029 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
12 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
Power 33
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
7.6 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
513 пФ при 20 В
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки включения
5.5 нс
Ширина
3mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
0.75mm
Длина
3mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

FDMC8032L, Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 7A, 20mOhm