SI8805EDB-T2-E1

PartNumber: SI8805EDB-T2-E1
Ном. номер: 8146102749
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI8805EDB-T2-E1
Фото 2/2 SI8805EDB-T2-E1
Доступно на заказ 2890 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3-4 недели.
36 руб. × = 108 руб.
Минимальное количество для заказа 3 шт.
от 10 шт. — 32.60 руб.
от 25 шт. — 32.30 руб.

Описание

MOSFETs
Trans MOSFET P-CH 8V 2.2A 4-Pin Micro Foot T/R

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
8
Maximum Gate Source Voltage (V)
±5
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
68@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
6.7@4.5V
Maximum Power Dissipation (mW)
500
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Typical Turn-On Delay Time (ns)
13
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
25
Typical Fall Time (ns)
17
Typical Rise Time (ns)
13
Mounting
Surface Mount
Package Height (mm)
0.2
Package Length (mm)
0.8
Package Width (mm)
0.8
PCB changed
4
Standard Package Name
BGA
Supplier Package
Micro Foot
Pin Count
4

Дополнительная информация

Si8805EDB, P-Channel 8V (D-S) MOSFET