FDC602P

PartNumber: FDC602P
Ном. номер: 8147104248
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDC602P
Фото 2/3 FDC602PФото 3/3 FDC602P
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3-4 недели.
21.50 руб. × = 215 руб.
Минимальное количество для заказа 10 шт.

Описание

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Четырехканальный дренаж
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
5.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.053 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
14 nC @ -4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
1456 пФ при -10 В
Типичное время задержки выключения
57 ns
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Высота
1mm
Длина
3mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet FDC602P
FDC602P, PowerTrench -20V P-Channel 2.5V Specified MOSFET