ZXMP6A18DN8TA, Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

PartNumber: ZXMP6A18DN8TA
Ном. номер: 8147230903
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 ZXMP6A18DN8TA, Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Фото 2/2 ZXMP6A18DN8TA, Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Доступно на заказ 7500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3-4 недели.
35.60 руб. × = 17 800 руб.
Количество товаров должно быть кратно 500 шт.
от 1000 шт. — 35.30 руб.
от 2000 шт. — 34.30 руб.

Описание

The ZXMP6A18DN8TA is a P-channel enhancement-mode Dual MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin finish leads as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Low ON-resistance
• Fast switching speed
• Low threshold
• Low gate drive
• Low profile package
• Halogen-free, Green device
• UL94V-0 Flame-rated moulded plastic case
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Dual, Dual Drain
размеры
5 x 4 x 1.5mm
высота
1.5mm
длина
5mm
Maximum Continuous Drain Current
4.8 A
Maximum Drain Source Resistance
0.08 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.1 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
тип упаковки
SOIC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC@ -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1580 pF@ -30 V
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Typical Turn-On Delay Time
4.6 ns
ширина
4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1V

Дополнительная информация

Datasheet ZXMP6A18DN8TA
MOSFET P-ch Dual 4.8A 60V SOIC8