Мой регион: Россия

IRF6217TRPBF, Pкан -150В -0.7А SO8

Ном. номер: 8219738466
PartNumber: IRF6217TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF6217TRPBF, Pкан -150В -0.7А SO8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF6217TRPBF, Pкан -150В -0.7А SO8
28 руб.
2200 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 80 шт. — 15 руб.
от 752 шт. — 13 руб.
Кратность заказа 8 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
24 руб. 8 дней, 3450 шт. 25 шт. 25 шт.
62 руб. 2-3 недели, 1472 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 53 руб.
от 100 шт. — 32 руб.
54 руб. 2-3 недели, 465 шт. 3 шт. 3 шт.
от 12 шт. — 41 руб.
от 18 шт. — 32 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-0.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
2400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики S,А/В
0.55
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.