Мой регион: Россия

IRF4104SPBF, Nкан 40В 120А D2Pak

Ном. номер: 8258497750
PartNumber: IRF4104SPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF4104SPBF, Nкан 40В 120А D2Pak
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF4104SPBF, Nкан 40В 120А D2PakФото 3/3 IRF4104SPBF, Nкан 40В 120А D2Pak
120 руб.
18 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
210 руб. 12 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 150 руб.
от 5 шт. — 116 руб.
120 руб. 4 дня, 139 шт. 1 шт. 5 шт.
от 22 шт. — 75 руб.
от 50 шт. — 67 руб.
200 руб. 2-3 недели, 45 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
75
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
140
Крутизна характеристики S,А/В
63
Температура, С
-55...+175
Корпус
D2Pak-2

Техническая документация

IRF4104PBF Datasheet
pdf, 376 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF4104SPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.