Мой регион: Россия

IRF2807ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Ном. номер: 8262616038
PartNumber: IRF2807ZSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRF2807ZSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
53.50 руб.
1600 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 1600 шт. — 53.10 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 2-3 недели, 36 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 136 руб.
166 руб. 3-4 недели, 20 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 140 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 2 104 руб./мес

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
89 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
170 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
40 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
9,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
71 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3270 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.