Мой регион: Россия

IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB

Ном. номер: 8275822377
PartNumber: IRFB3207PBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220ABФото 3/3 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB
230 руб.
170 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 15 шт. — 130 руб.
от 150 шт. — 107 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.

The IRFB3207PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Fast switching

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
170
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Крутизна характеристики S,А/В
150
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB

Дополнительная информация

Datasheet IRFB3207PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.