IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
![Фото 1/6 IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
от 25 шт. —
89 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.05 Ом/2.6А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
