Мой регион: Россия

SI4435DDY-T1-GE3, new version SI4435BDY, P-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohm

Ном. номер: 8387116506
PartNumber: SI4435DDY-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/4 SI4435DDY-T1-GE3, new version SI4435BDY, P-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohm
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 SI4435DDY-T1-GE3, new version SI4435BDY, P-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohmФото 3/4 SI4435DDY-T1-GE3, new version SI4435BDY, P-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohmФото 4/4 SI4435DDY-T1-GE3, new version SI4435BDY, P-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohm
54 руб.
220 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 30 шт. — 28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
39 руб. 4 дня, 328 шт. 1 шт. 16 шт.
от 36 шт. — 26 руб.
от 72 шт. — 22 руб.
48 руб. 3-4 недели, 1895 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 42.70 руб.
от 100 шт. — 35.20 руб.
70 руб. 2-3 недели, 731 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 59 руб.
от 100 шт. — 43 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-11.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
24
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
5
Крутизна характеристики S,А/В
23
Температура, С
-55…+150
Корпус
SO8

Техническая документация

si4435dd
pdf, 190 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SI4435DDY-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.