Мой регион: Россия

IRF7301TRPBF, 2Nкан 20В 5.2А SO8

Ном. номер: 8410835298
PartNumber: IRF7301TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7301TRPBF, 2Nкан 20В 5.2А SO8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7301TRPBF, 2Nкан 20В 5.2А SO8Фото 3/3 IRF7301TRPBF, 2Nкан 20В 5.2А SO8
44 руб.
5 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
29 руб. 3495 шт. 1 шт. 136 шт.
от 240 шт. — 25.50 руб.
60 руб. 1-2 недели, 519 шт. 1 шт. 1 шт.
51 руб. 4 дня, 1215 шт. 1 шт. 12 шт.
от 47 шт. — 32 руб.
от 94 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2
Крутизна характеристики S,А/В
8.3
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8

Дополнительная информация

Datasheet IRF7301TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.