Мой регион: Россия

IRFR9N20DTRPBF, Nкан 200В 9.4А DPak

Ном. номер: 8569311392
PartNumber: IRFR9N20DTRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRFR9N20DTRPBF, Nкан 200В 9.4А DPak
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRFR9N20DTRPBF, Nкан 200В 9.4А DPak
48 руб.
1800 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 40 шт. — 28 руб.
от 400 шт. — 24 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
37 руб. 8 дней, 1800 шт. 20 шт. 20 шт.
96 руб. 3-4 недели, 255 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 83.80 руб.
от 25 шт. — 83 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
380
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
86
Крутизна характеристики S,А/В
4.3
Температура, С
-55...+175
Корпус
DPAK

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.