IRFU110PBF, транзистор MOSFET N канал 100В 4.3A 3-Pin

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 45 шт. — 61 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 600 руб.

Номенклатурный номер: 8586880101

Артикул: IRFU110PBF

транзисторы полевые импортные

МОП-транзистор N-Chan 100V 4.3 Amp

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	25
Корпус	DPAK(TO-252AA)
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	540
Температура, С	-55…+150
Вид монтажа	Through Hole
Высота	6.22 mm
Длина	6.73 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	IRFR/U
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Ширина	2.39 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.3 A
Maximum Drain Source Resistance	540 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	IPAK(TO-251)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Width	2.38mm
Вес, г	7