CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия

Фото 1/2 CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 640 руб.
11 210 руб.
от 2 шт.10 780 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 210 руб.
Номенклатурный номер: 8600440037
Артикул: CM400HA-24A#300G
Бренд: Mitsubishi

Описание

Силовые IGBTи SiC модули
Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2.4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность. Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля. В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.

Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 180
Входная емкость затвора,нФ 70
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 2350
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Максимальный ток эмиттера, А 800
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.1
Напряжение эмиттер-коллектор,В 2.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»