Мой регион: Россия

IRF1404ZSPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Ном. номер: 8722106674
PartNumber: IRF1404ZSPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF1404ZSPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF1404ZSPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
70 руб.
2000 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 350 шт. — 69.40 руб.
от 700 шт. — 67.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
80 руб. 150 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 74 руб.
от 150 шт. — 73 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 344 руб./мес

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
190 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
220 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
18 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
36 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4340 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF1404ZPBF Datasheet
pdf, 401 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.