Мой регион: Россия

IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8

Ном. номер: 8816083056
PartNumber: IRF7241TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/6 IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8Фото 3/6 IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8Фото 4/6 IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8Фото 5/6 IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8Фото 6/6 IRF7241TRPBF, Pкан -40В -6.2А SO8
46 руб.
2100 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 90 шт. — 23 руб.
от 900 шт. — 20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
45 руб. 4 дня, 737 шт. 1 шт. 14 шт.
от 53 шт. — 28 руб.
от 105 шт. — 25 руб.
95 руб. 2-3 недели, 12539 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 78 руб.
от 100 шт. — 55 руб.
79 руб. 3-4 недели, 2423 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 69.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
-40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
-6.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
41
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики S,А/В
8.9
Температура, С
-55...+150
Корпус
SO8

Дополнительная информация

Datasheet IRF7241TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.