IRF530NSTRLPBF

PartNumber: IRF530NSTRLPBF
Ном. номер: 8899170639
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF530NSTRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF530NSTRLPBF
63 руб.
347 шт. со склада г.Москва,
срок 5 рабочих дней
от 38 шт. — 39 руб.
от 76 шт. — 35 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
86 руб. 105 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 17 А, 3.8 Вт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.65мм
Высота
4.83мм
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9.2 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
35 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
90 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
920 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.