S34ML02G100TFI000, (256Mx8), Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В/3.3В 2Гбит 256M x 8 20нс

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

510 руб.

от 29 шт. — 410 руб.

от 58 шт. — 389 руб.

от 96 шт. — 383 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.

Номенклатурный номер: 8930408932

Артикул: S34ML02G100TFI000

Микросхемы / Микросхемы памяти / Flash память

Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В/3.3В 2Гбит 256M x 8 20нс

Корпус	tsop48
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	3
Архитектура	Multiplane
Диапазон рабочих температур	-40…+85 °С
Напряжение питания	2.7…3.6 В
Память	FLASH-NAND 2 Гбит(256 Мбит х 8)
Потребляемый ток	30(max)мА
Тип	синхронизации-asynchronous
Тип монтажа	поверхностный(SMT)
Транспортная упаковка: размер/кол-во	604040/192
Упаковка	TRAY, 96 шт.
Характеристика	быстродействие-25 нс
Ширина	шины данных-8 бит
Вес, г	1

pdf, 1807 КБ

Мы рекомендуем