Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon

Транзисторы биполярные с изолированным затвором Infineon Technologies, стр.17

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FF450R33T3E3BPSA1, IGBT Modules XHP HV Бренд: Infineon	быстрый просмотр	286 600 руб. ×
FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM Бренд: Infineon	быстрый просмотр	61 410 руб. ×	от 10 шт. — 53 790 руб. от 20 шт. — 52 010 руб. от 50 шт. — 51 801.93 руб.
FF50R12RT4, IGBT Modules IGBT 1200V 50A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	21 720 руб. ×	от 10 шт. — 17 170 руб.
FF600R07ME4B11BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр	45 150 руб. ×	от 10 шт. — 36 830 руб. от 20 шт. — 36 170 руб.
FF600R07ME4BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO Бренд: Infineon	быстрый просмотр	45 160 руб. ×	от 10 шт. — 37 590 руб.
FF600R07ME4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.55 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	39 160 руб. ×	от 5 шт. — 32 580 руб.
FF600R12KE4EBOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 7-Pin 62 mm Бренд: Infineon	быстрый просмотр	75 150 руб. ×
FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter, 600 А, 1.75 В, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	70 290 руб. ×	от 5 шт. — 65 310 руб.
FF600R12KE4PBOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM Бренд: Infineon	быстрый просмотр	53 590 руб. ×
FF600R12ME4AB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 995 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	104 900 руб. ×	от 5 шт. — 97 420 руб.
FF600R12ME4BOSA1 Бренд: Infineon	быстрый просмотр	67 330 руб. ×	от 10 шт. — 58 720 руб.
FF600R12ME4EB11BOSA1 Common Emitter IGBT Module, 600 A 1200 V, 13-Pin ECONODUAL Бренд: Infineon	быстрый просмотр	75 630 руб. ×
FF600R17ME4BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 950A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	100 900 руб. ×	от 5 шт. — 92 410 руб.
FF650R17IE4, IGBT Modules N-CH 1.7KV 930A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	110 300 руб. ×
FF650R17IE4DB2BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 930 А, 2 В, 4.15 кВт, 150 °C, Module Бренд: Infineon	быстрый просмотр	106 100 руб. ×
FP100R06KE3BOSA1 Бренд: Infineon	быстрый просмотр	40 680 руб. ×	от 10 шт. — 33 180 руб. от 30 шт. — 31 940 руб.
FP100R06KE3BOSA1, IGBT, MODULE, N-CH, 600V, 50A Бренд: Infineon	быстрый просмотр	29 720 руб. ×	от 5 шт. — 27 050 руб. от 10 шт. — 24 610 руб.
FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Бренд: Infineon	быстрый просмотр	74 090 руб. ×
FP100R12N2T7BPSA1 3 Phase IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis Mount Бренд: Infineon	быстрый просмотр	40 510 руб. ×
FP100R12N2T7BPSA1 3 Phase IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis Mount Бренд: Infineon	быстрый просмотр	47 730 руб. ×