Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором ON Semiconductor, стр.9

_{204 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	32 540 руб. ×
NXH40T120L3Q1SG IGBT Module 1200 V, 44-Pin Q13-TNPC, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	195 900 руб. ×
NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	43 840 руб. ×	от 5 шт. — 38 730 руб.
NXH50C120L2C2ESG, IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	20 310 руб. ×	от 5 шт. — 18 770 руб.
NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	26 740 руб. ×	от 12 шт. — 22 930 руб.
NXH80B120H2Q0SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 20-Pin Case 180AJ Tray Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	14 320 руб. ×
NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	15 750 руб. ×	от 5 шт. — 14 380 руб. от 10 шт. — 13 930 руб.
NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	16 830 руб. ×	от 5 шт. — 15 330 руб. от 10 шт. — 14 810 руб.
SGL160N60UFDTU, Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	4 440 руб. ×	от 10 шт. — 4 070 руб. от 25 шт. — 3 480 руб. от 100 шт. — 2 855.78 руб.
SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFD series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	240 руб. ×	от 15 шт. — 215 руб.
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Бренд: Fairchild Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	1 010 руб. ×	от 15 шт. — 947 руб.
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pf		480 руб. ×
FGH75T65SQDTL4, Транзистор IGBT 650В 75А [TO-247-4LD] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 44 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 296 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-4LD		1 560 руб. ×	от 5 шт. — 1 370 руб.
FGA6065ADF Бренд: ON Semiconductor		2 220 руб. ×	от 2 шт. — 2 060 руб. от 5 шт. — 1 950 руб. от 10 шт. — 1 870 руб.
FGPF4633 Бренд: ON Semiconductor		530 руб. ×
HGTP20N60A4 Бренд: ON Semiconductor		880 руб. ×	от 2 шт. — 760 руб. от 5 шт. — 677 руб. от 10 шт. — 635 руб.
ISL9V3036D3S Бренд: ON Semiconductor		840 руб. ×	от 2 шт. — 720 руб. от 5 шт. — 637 руб. от 10 шт. — 596.25 руб.
NGTB15N60S1EG Бренд: ON Semiconductor		440 руб. ×	от 2 шт. — 380 руб. от 10 шт. — 329 руб.
NGTB30N120LWG Бренд: ON Semiconductor		1 410 руб. ×	от 2 шт. — 1 280 руб. от 5 шт. — 1 180 руб. от 9 шт. — 1 130 руб.
FGPF4633, (укороченные формованные выводы), Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-220F formed lead		190 руб. ×	от 6 шт. — 160 руб. от 12 шт. — 143 руб. от 23 шт. — 137 руб.