Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.2

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BD13910STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	54 руб. ×	от 15 шт. — 41 руб.
BD14010STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	120 руб. ×	от 15 шт. — 87 руб.
BD14016STU, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ639Е) [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
BU406G, Транзистор NPN 400В 7А 60Вт 10МГц [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 200 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 7 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 10 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр	200 руб. ×	от 15 шт. — 165 руб.
FJP5027RTU, Транзистор, NPN, 800В, 3А, 50Вт, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 15 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	230 руб. ×	от 15 шт. — 192 руб.
KSP2222ABU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A) [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	21 руб. ×	от 100 шт. — 18 руб.
KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A) Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	20 руб. ×	от 100 шт. — 14 руб.
KSP42TA, Транзистор NPN 300В 0.5А, (=MPSA42), [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	20 руб. ×	от 100 шт. — 16 руб.
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 300 руб. ×	от 5 шт. — 1 230 руб.
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 170 руб. ×	от 5 шт. — 1 100 руб.
MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 310 руб. ×	от 15 шт. — 1 270 руб.
MJ15004G, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 070 руб. ×	от 15 шт. — 1 040 руб.
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 010 руб. ×	от 15 шт. — 963 руб.
MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 85 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	90 руб. ×	от 15 шт. — 89 руб.
MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	290 руб. ×	от 15 шт. — 234 руб.
MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр	400 руб. ×	от 15 шт. — 346 руб.
MJE270G, Транзистор, [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1500 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр	71 руб. ×	от 15 шт. — 69 руб.
MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20 Корпус: to-126	быстрый просмотр	73 руб. ×	от 15 шт. — 61 руб.
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 14 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 13 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 35 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	430 руб. ×	от 15 шт. — 363 руб.
MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	17 руб. ×	от 100 шт. — 15 руб.