Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Infineon, стр.8

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 25 шт. — 188 руб.
IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 50 шт. — 261 руб.
IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 25 шт. — 221 руб.
IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 17/23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 25 шт. — 172 руб.
IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19/24
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
440 руб. ×
от 25 шт. — 419 руб.
IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
360 руб. ×
от 15 шт. — 316 руб.
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 25 шт. — 138 руб.
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
69 руб. ×
от 25 шт. — 60 руб.
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0087 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 71
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
69 руб. ×
от 25 шт. — 65 руб.
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
90 руб. ×
от 25 шт. — 79 руб.
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
90 руб. ×
от 25 шт. — 81 руб.
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 ом при 24a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 95
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 25 шт. — 127 руб.
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 217 руб.
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
81 руб. ×
от 25 шт. — 72 руб.
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 25 шт. — 126 руб.
IRF9362TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала, 30В, 8А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 106 руб.
IRF9389TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 6.8/-4.6А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.2/4.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 25 шт. — 194 руб.
IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 3.2
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 15 шт. — 117 руб.
IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.8
Крутизна характеристики, S: 3.2
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 15 шт. — 194 руб.
IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.117 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 15 шт. — 143 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60