Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › VBsemi

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) VBsemi

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F] 472 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 45 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/18А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	472 шт.	88 руб. ×	от 100 шт. — 79 руб.
APM4010NUC-TRL-VB, Транзистор N-MOSFET 40В 59А [TO-252] 1209 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.13 Крутизна характеристики, S: 180 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	1209 шт.	52 руб. ×	от 100 шт. — 47 руб.
APM4015PUC-TRL-VB, Транзистор P-MOSFET 40В 50А [TO-252] 1242 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Крутизна характеристики, S: 61 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	1242 шт.	50 руб. ×	от 100 шт. — 45 руб.
BUK7635-55A-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 36А [TO-263 / D2PAK] 395 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/21A/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: TO-263/D2PAK	быстрый просмотр	395 шт.	200 руб. ×	от 205 шт. — 181 руб.
FCPF22N60NT-VB, Транзистор MOSFET 650В 20А [TO-220F] 126 шт. Бренд: VBsemi	быстрый просмотр	126 шт.	190 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FDC6420C-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6] 10879 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 4.3/2 Корпус: TSOP-6	быстрый просмотр	10879 шт.	27 руб. ×	от 50 шт. — 25 руб.
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] 1615 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1615 шт.	54 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L] 320 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 108 Крутизна характеристики, S: 40/18 Корпус: DPAK(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	320 шт.	70 руб. ×	от 100 шт. — 63 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8] 862 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	862 шт.	50 руб. ×	от 15 шт. — 45 руб.
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB] 349 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр	349 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 99 руб.
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] 2661 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 27/25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2661 шт.	59 руб. ×	от 50 шт. — 55 руб.
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] 4994 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 37 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	4994 шт.	81 руб. ×	от 50 шт. — 76 руб.
IRF7324TRPBF-VB, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8] 6699 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 26 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	6699 шт.	64 руб. ×	от 100 шт. — 58 руб.
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] 5375 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5375 шт.	82 руб. ×	от 50 шт. — 79 руб.
IRF7343TRPBF-VB, Транзистор N/P-каналы 60В 5.3/4.9А TrenchFET [SOIC-8] 4568 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	4568 шт.	97 руб. ×	от 25 шт. — 91 руб.
IRFR1010ZTRLPBF-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 97А 136Вт [DPAK] 100 шт. Бренд: VBsemi	быстрый просмотр	100 шт.	80 руб. ×	от 15 шт. — 74 руб.
IRFR9120NTRPBF-VB, Транзистор Р-MOSFET 100В 8.8А 32.1Вт [D-PAK] 388 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/3.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	388 шт.	100 руб. ×	от 15 шт. — 90 руб.
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3] 6704 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: Micro-3/SOT-23-3	быстрый просмотр	6704 шт.	18 руб. ×
IRLR2905TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 35А [DPAK / TO-252] 1764 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1764 шт.	72 руб. ×	от 50 шт. — 68 руб.
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3] 4567 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	4567 шт.	12 руб. ×	от 100 шт. — 11 руб.