MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]

MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4567 шт. со склада г.Москва
12 руб.
от 100 шт.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 руб.
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 9001185607
Артикул: MMBF170LT1G-VB

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.3 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 1…2.5
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet MMBF170LT1G
pdf, 1611 КБ
MMBF170LT1G
pdf, 359 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.