MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4567 шт. со склада г.Москва
12 руб.
от 100 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 руб.
Посмотреть аналоги2
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.3 Ом/0.2А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet MMBF170LT1G
pdf, 1611 КБ
MMBF170LT1G
pdf, 359 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.