Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{136 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP] 373 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	373 шт.	250 руб. ×	от 15 шт. — 209 руб.
STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223] 1029 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 Ом/0.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	1029 шт.	45 руб. ×	от 15 шт. — 43 руб.
STP10NK60Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220AB] 289 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115 Крутизна характеристики, S: 7.8 Корпус: to-220	быстрый просмотр	289 шт.	150 руб. ×	от 15 шт. — 132 руб.
STP10NK60ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10А [TO-220FP] 355 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	355 шт.	140 руб. ×	от 15 шт. — 126 руб.
STP13NK60Z, Транзистор MOSFET N-CH 600V 13A [TO-220] 182 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: to-220	быстрый просмотр	182 шт.	250 руб. ×	от 15 шт. — 230 руб.
STP13NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.28 Ом, 11А [TO-220AB] 507 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	507 шт.	200 руб. ×	от 15 шт. — 168 руб.
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP] 594 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	594 шт.	410 руб. ×	от 15 шт. — 375 руб.
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB] 117 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: to-220	быстрый просмотр	117 шт.	480 руб. ×	от 15 шт. — 437 руб.
STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP] 2152 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	2152 шт.	35 руб. ×	от 5 шт. — 33 руб.
STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP] 101 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/2.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	101 шт.	80 руб. ×	от 15 шт. — 72 руб.
STP6NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP] 1513 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	1513 шт.	150 руб. ×	от 15 шт. — 123 руб.
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220] 289 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: to-220	быстрый просмотр	289 шт.	150 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
STP9NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 7A [TO-220FP] 59 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	59 шт.	180 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.
STQ1NK60ZR-AP, Транзистор MOSFET N-канал 600В 0.3А [TO-92 Ammo] 187 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 Ом/0.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Корпус: TO-92 Formed Leads	быстрый просмотр	187 шт.	76 руб. ×	от 100 шт. — 70 руб.
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247] 172 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	172 шт.	580 руб. ×	от 15 шт. — 524 руб.
STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247] 278 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	278 шт.	480 руб. ×	от 15 шт. — 425 руб.
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 31.5А [TO-247] 112 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/14.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	112 шт.	850 руб. ×	от 15 шт. — 840 руб.
STW48NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.055Ом, 44А [TO-247] 287 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	287 шт.	970 руб. ×	от 5 шт. — 867 руб.
STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247] 103 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 350 Крутизна характеристики, S: 45 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	103 шт.	2 420 руб. ×	от 15 шт. — 2 310 руб.
TK10A60D(STA4.X.M), Транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А, 45 Вт, [TO-220F] 134 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	134 шт.	250 руб. ×