Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.5

_{106 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRF7455TR(UMW) 7-9 недель, 14070 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 75 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 14070 шт.	52 руб. ×	от 50 шт. — 41 руб. от 150 шт. — 35 руб. от 500 шт. — 28.81 руб.
IRF7469TR(UMW) 7-9 недель, 3000 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 17 мОм/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 3000 шт.	70 руб. ×	от 10 шт. — 55 руб. от 30 шт. — 48 руб. от 100 шт. — 39.08 руб.
IRF7470TR(UMW) 7-9 недель, 14030 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 14030 шт.	61 руб. ×	от 50 шт. — 47 руб. от 150 шт. — 41 руб. от 500 шт. — 32.69 руб.
IRF7476TR(UMW) 7-9 недель, 15000 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 мОм/15А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 31 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 15000 шт.	70 руб. ×	от 10 шт. — 54 руб. от 30 шт. — 47 руб. от 100 шт. — 38.53 руб.
IRF7807TR(UMW) 7-9 недель, 14665 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 11 мОм/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 14665 шт.	31 руб. ×	от 50 шт. — 24 руб. от 150 шт. — 21 руб. от 500 шт. — 16.24 руб.
IRF9310TR 7-9 недель, 16959 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.9 мОм/20A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 39 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 16959 шт.	110 руб. ×	от 10 шт. — 86 руб. от 30 шт. — 75 руб. от 100 шт. — 64.19 руб.
Транзистор IRF7204TR, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 6 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 6 шт.	210 руб. ×
Транзистор IRF7403, тип N, 2,5 Вт, корпус SO-8 ,IR 3-4 дня, 5 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 8.4 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 5 шт.	250 руб. ×
Транзистор IRF7416, тип P, 2,5 Вт, корпус SO-8-150-1.27 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	260 руб. ×
Транзистор IRF7425, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0082 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	4 500 руб. ×
Транзистор IRF7455, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 3-4 дня, 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 1 шт.	310 руб. ×
Транзистор IRF7805, тип N,корпус SO-8 ,IR 3-4 дня, 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 38 Корпус: so-8	быстрый просмотр	3-4 дня, 1 шт.	590 руб. ×
IRF6216TRPBF, транзистор Pкан -150В -2.2А SO8 Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 30 шт. — 110 руб. от 120 шт. — 104 руб. от 210 шт. — 99.52 руб.
IRF7455PBF, транзистор N канал 30В 15А SO8 Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		190 руб. ×
SP001575396 Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		55 руб. ×
FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 ом при 0.5а, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 0.75 Корпус: dpak	быстрый просмотр		30 руб. ×
IRF3717PBF, Транзистор N-канал 20В 20А [SO-8] [EOL] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 57 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		490 руб. ×
IRF6216PBF, Транзистор, P-канал 150В 2.2А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.24 Ом/1.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 2.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. ×
IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8 Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/10.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		44 руб. ×
IRF7389PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 7.3А/-5.3А [SO-8] Бренд: IR Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		48 руб. ×	от 25 шт. — 44 руб.