Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже Наличие
Производители
Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Казань
Калуга
Краснодар
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Рязань
Самара
Симферополь
Тверь
Тула
Уфа
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
Со склада
Пр-во: IR
Структура: npt
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 75
Мощность макс.,Вт: 390
Крутизна характеристики, S: 41
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
420
от 5 шт. — 400
от 50 шт. — 390
BUP314D, IGBT 1200В 52A 300W PG-TO-247-3
Со склада
Пр-во: Infineon
Структура: igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 42
Мощность макс.,Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-218
Добавить к сравнению
Со склада
490
от 10 шт. — 450
от 100 шт. — 425
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 50
Мощность макс.,Вт: 312
Корпус: to-3p
Добавить к сравнению
Со склада
140
от 5 шт. — 125
от 50 шт. — 122
FGH40N60SFDTU, IGBT 600В 80А, [TO247]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 80
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
140
от 25 шт. — 110
от 250 шт. — 107
Добавить к сравнению
Со склада
140
от 25 шт. — 110
от 250 шт. — 107
FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А TO-247
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 80
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
220
от 5 шт. — 200
от 50 шт. — 195
Добавить к сравнению
Со склада
180
от 5 шт. — 160
от 50 шт. — 150
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 60
Мощность макс.,Вт: 600
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
220
от 5 шт. — 170
от 50 шт. — 160
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 64
Мощность макс.,Вт: 500
Корпус: to-264
Добавить к сравнению
Со склада
390
от 5 шт. — 370
от 50 шт. — 366
FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А TO247
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 75
Мощность макс.,Вт: 750
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
470
от 5 шт. — 370
от 50 шт. — 350
VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227]
Со склада
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 100
Мощность макс.,Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 79
Корпус: sot-227
Добавить к сравнению
Со склада
3 340
от 3 шт. — 3 290
от 30 шт. — 3 180
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А D2PAK
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 14
Мощность макс.,Вт: 60
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
Со склада
87
от 3 шт. — 68
от 30 шт. — 67
HGTG10N120BND, IGBT транзистор
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 35
Мощность макс.,Вт: 298
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
220
от 5 шт. — 160
от 50 шт. — 147
Добавить к сравнению
Со склада
180
от 5 шт. — 155
от 30 шт. — 145
Добавить к сравнению
Со склада
120
от 25 шт. — 100
от 250 шт. — 99
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А TO247
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 70
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
200
от 5 шт. — 170
от 50 шт. — 156
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 70
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
250
от 5 шт. — 210
от 50 шт. — 193
HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А TO247AC
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 40
Мощность макс.,Вт: 165
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
280
от 5 шт. — 210
от 50 шт. — 192
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 75
Мощность макс.,Вт: 463
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
250
от 5 шт. — 230
от 50 шт. — 215
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А TO247
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 75
Мощность макс.,Вт: 463
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
300
от 5 шт. — 260
от 50 шт. — 242
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая

IGBT-транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным затвором) – трёхэлектродные силовые электронные приборы, которые используются в качестве мощного электронного ключа в инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электроприводами.

Внутренняя структура IGBT-транзисторов имеет вид каскадного включения двух электронных ключей: входные ключи, основанные на полевых транзисторах, управляют мощными ключами, основанными на биполярных транзисторах. Управляющим электродом является затвор (как у полевых), а двумя другими электродами – эмиттер и коллектор (как у биполярных).

Посмотреть и купить товар вы можете в наших магазинах в городах: Москва, Санкт-Петербург, Волгоград, Воронеж, Екатеринбург, Казань, Калуга, Краснодар, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Пермь, Рязань, Самара, Симферополь, Тверь, Тула, Уфа. Доставка заказа почтой или через салоны «Евросеть» в следующие города: Ростов-на-Дону, Челябинск, Красноярск, Саратов, Ижевск, Ульяновск, Тюмень, Иркутск, Ярославль, Хабаровск, Владивосток и др.
Товары из группы «IGBT транзисторы» вы можете купить оптом и в розницу.