Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor, стр.9

_{199 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	43 840 руб. ×	от 5 шт. — 38 730 руб.
NXH50C120L2C2ESG, IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	20 310 руб. ×	от 5 шт. — 18 770 руб.
NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	26 740 руб. ×	от 12 шт. — 22 930 руб.
NXH80B120H2Q0SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 20-Pin Case 180AJ Tray Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	14 320 руб. ×
NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	15 750 руб. ×	от 5 шт. — 14 380 руб. от 10 шт. — 13 930 руб.
NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	16 830 руб. ×	от 5 шт. — 15 330 руб. от 10 шт. — 14 810 руб.
SGL160N60UFDTU, Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	4 430 руб. ×	от 10 шт. — 4 050 руб. от 25 шт. — 3 460 руб. от 100 шт. — 2 844.27 руб.
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pf		480 руб. ×
FGH75T65SQDTL4, Транзистор IGBT 650В 75А [TO-247-4LD] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 44 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 296 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-4LD		1 560 руб. ×	от 5 шт. — 1 370 руб.
FGA6065ADF Бренд: ON Semiconductor		2 200 руб. ×	от 2 шт. — 2 040 руб. от 5 шт. — 1 930 руб. от 10 шт. — 1 852.50 руб.
FGPF4633 Бренд: ON Semiconductor		530 руб. ×
HGTP20N60A4 Бренд: ON Semiconductor		880 руб. ×	от 2 шт. — 760 руб. от 5 шт. — 677 руб. от 10 шт. — 635 руб.
ISL9V3036D3S Бренд: ON Semiconductor		840 руб. ×	от 2 шт. — 710 руб. от 5 шт. — 632 руб. от 10 шт. — 591.25 руб.
NGTB15N60S1EG Бренд: ON Semiconductor		440 руб. ×	от 2 шт. — 380 руб. от 10 шт. — 329 руб.
NGTB30N120LWG Бренд: ON Semiconductor		1 400 руб. ×	от 2 шт. — 1 270 руб. от 5 шт. — 1 170 руб. от 9 шт. — 1 120 руб.
FGPF4633, (укороченные формованные выводы), Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 70 А, 30 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-220F formed lead		190 руб. ×	от 6 шт. — 160 руб. от 12 шт. — 143 руб. от 23 шт. — 137 руб.
HGTP20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт Бренд: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB		350 руб. ×	от 8 шт. — 300 руб. от 16 шт. — 280 руб. от 32 шт. — 269 руб.
AFGHL75T65SQ, IGBT Transistors IGBT - 650 V FS4 standalone IGBT IGBT - 650 V FS4 without Co-pack diode Бренд: ON Semiconductor		1 660 руб. ×	от 10 шт. — 1 470 руб. от 25 шт. — 1 150 руб. от 100 шт. — 944.50 руб.
AFGY160T65SPD-B4, IGBT Transistors IGBT - 650V, 160A Field Stop Trench IGBT with VCESAT and VTH Binning Бренд: ON Semiconductor		4 040 руб. ×	от 10 шт. — 3 700 руб. от 30 шт. — 2 900 руб. от 60 шт. — 2 589.22 руб.
FAM65CR51DZ2, IGBT Modules APM16 CDA PFC SF3 F RFET Бренд: ON Semiconductor		8 860 руб. ×