MOSFET от IR до 30В 100 А в корпусе PQFN 5x6mm

Опубликовано 21.01.2011 Ведущий Виталий Дудкин

International Rectifier, лидер в производстве силовых полупроводниковых приборов, представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии.
Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока.
Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы.
На поверхность кристалла помещается – «защелкивается» медная пластина – клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу – контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл – медная клипса менее чем 1 мОм.
Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В – соответственно 1.4 мОм и 50 нК.
В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.