Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{27 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F] 1418 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1418 шт.	67 руб. ×	от 50 шт. — 60 руб.
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223] 2302 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2302 шт.	14 руб. ×	от 50 шт. — 12 руб.
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252] 2201 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2201 шт.	14 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
2N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [SOT-223] 4898 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4898 шт.	15 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252] 1138 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1138 шт.	17 руб. ×	от 50 шт. — 15 руб.
4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F] 1372 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1372 шт.	38 руб. ×	от 50 шт. — 35 руб.
4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252] 2132 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2А/10В Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2132 шт.	18 руб. ×	от 15 шт. — 17 руб.
5N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 5А [TO-220F] 918 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.5А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	918 шт.	38 руб. ×	от 50 шт. — 34 руб.
7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F] 2026 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/3.5А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 148 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	2026 шт.	53 руб. ×	от 50 шт. — 50 руб.
7N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-252] 1679 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/3.5А/10В Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1679 шт.	33 руб. ×	от 15 шт. — 30 руб.
AP2761I-A, Транзистор, N-канал 650В 10А 1.0Ом [TO-220CFM(I)] 90 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37 Крутизна характеристики, S: 4.8 Корпус: TO-220CFM(I)	быстрый просмотр	90 шт.	250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		320 руб. ×	от 15 шт. — 285 руб.
IPW60R099CPFKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 31А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.099 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 400 руб. ×	от 15 шт. — 1 350 руб.
IRFB9N65APBF, Транзистор, N-канал 650В 9.5А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.93 Ом/5.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Крутизна характеристики, S: 3.9 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 215 руб.
SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 306 руб.
SPP20N60C3XKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 0.19Ом [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 17.5 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 50 шт. — 406 руб.
SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/15.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 240 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		1 070 руб. ×	от 15 шт. — 1 040 руб.
SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 34.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/21.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 313 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		1 720 руб. ×	от 15 шт. — 1 700 руб.
SPW47N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 650В 47А 70мОм [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 415 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		1 630 руб. ×	от 10 шт. — 1 530 руб.
STF6N65K3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 5.4А [TO-220FP] 53 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	53 шт.	180 руб. ×	от 15 шт. — 132 руб.